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| 不限量 | |
| 自买家付款之日起3天内发货 | |
| 瑞森 |
主要特点
VDS =650V,ID =10A
RDS(ON) <0.85Ω @ VGS = 10V
抗冲击能力强
较低的导通电阻
的UIS测试
RS10N65F是瑞森采用的平面MOS技术制造的N-沟道场效应晶体管，通过优化芯片结构，使该产品拥有较强的抗冲击能力，同时具有较低的导通内阻和的栅极电荷，能较大地降低产品EMI和开关损耗。广泛应用于开关电源，电源适配器、LED驱动等领域。
| 深圳凌瑞新能源科技有限公司 | |
| 刘坤 |
|
| 无 | |
| 13544057784 | |
| 29147654@qq.com | |
| 0755-21039418 | |
| 大浪街道同胜社区上横朗第四工业区7号401-405 | |
| 智能插座,智能开关,方案设计 | |
| http://liukun888.b2b.huangye88.com/m/ | |
